2090mos公司-2090mos-炫吉电子

一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。g：gate 栅极；s：source 源极；d：drain 漏极。mos管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为pmos管（p沟道型）和nmos（n沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。

 mosfet管有两个电极，一个是金属，另一个是外在硅，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。mosfet管一般被生产制造为四种类型，分别是增强型和耗尽型、p沟道和n沟道这四种，但其实在实际的运用中一般只用增强型的n沟道和增强型的p沟道mos管，因此一般情况下只要提及nmos或是pmos便是指的是这两种。

     针对这两种增强型的mos管，其中较为普遍使用的是nmos —— 原因是增强型的n沟道mos管的导通电阻更小，并且生产简便，2090mos，因此在开关电源和电机驱动的运用中，我们一般使用增强型的n沟道mos管。

     mos管的三个管脚中有寄生电容的存在，2090mos公司，虽然说这并不是大家所需要的，但其中生产制造加工工艺需要寄生电容的存在。有了寄生电容，wp2090mos，这让其设计方案或挑选驱动电源电路的情况下会更麻烦一些，2090mos万芯半导体，其中还没有解决的办法能避免。

     在mos管的漏极和源极中有一个寄生二极管叫做体二极管，就驱动感性负载来说，二极管对其十分重要。顺带说一句，体二极管只在单独的mos管内存在，在集成电路芯片內部一般都是没有的。