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mos管fet栅源保护：

1）避免 栅极 di/dt 过高

因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生，一般在 mos 控制器的导出与 mos 管的栅极中间串连一个电阻器，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。

2）避免 栅源极间过压

因为栅极与源极的特性阻抗---，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此，要在 mos 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下，保护 mos 管不被穿透。

3）安全防护漏源极中间过压

尽管漏源击穿电压 vds 一般都非常大，2090mos价格，但假如漏源极不用保护电路，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压，从而毁坏 mos 管，功率管电源开关速率越快，造成的过压也就越高。为了---地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和 rc 缓存电路等保护对策。

公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

我国是全---的mos器件市场，2020年，我国mos器件市场规模约为187亿元，在全总市场中的占比达到45%。我国是全---的智能手机、汽车生产国，5g技术处于全的头部位置，苏州2090mos，且新型电子产品不断问世，因此mos器件市场前景好，且高的性能的产品需求不断上升。这些因素有利于我国围栅硅纳米线mos器件行业发展。