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场效应管有两大类型:n沟道和p沟道。在功率系统中,场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻rds(on)。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端,因此,总是要在栅极加上一个电压。如果栅---悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即idss。






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场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以fet管的gate电流非常小。普通的fet用一薄层二氧化硅来作为gate极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(mos)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(mosfet)。因为mos管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。






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做电源电路,或是做推动领域的电源电路,免不了要使用mos管。mos管有很多类型,中低压mos生产厂家,也是有许多功效。做开关电源或是推动的应用,自然便是用它的开关功效。

不管n型或是p型mos管,其原理实质是一样的。mos管是由加在键入端栅极的电流来调节輸出端漏极的电流。mos管是压控器件它根据加在栅极上的电流---器件的特点,不容易产生像三极管做开关时的因基极电流造成的正电荷储存效用,因而在开关运用中,mos管的开关速率应当比三极管快。








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