




一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。g:gate 栅极;s:source 源极;d:drain 漏极。mos管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为pmos管(p沟道型)和nmos(n沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
公司成立于2013年7月,台州中低压mos,---从事单片机的应用开发及生产,中低压mos万芯半导体,并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售,在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您---适合的芯片方案。
无论是nmos或是pmos,导通后都会有导通电阻,使得电流在电阻上耗费一定的电能,中低压mos公司,这种耗费叫做导通耗损。这时我们只要挑选导通电阻小的mos管就可以减少导通耗损,如今的小功率mos管导通电阻一般也就几十毫欧的样子,甚至几毫欧的都有。mos在导通和截至的情况下,并不是在一瞬间完成的。
mos两边的电压有一个降低的过程,流过的电流则有一个升高的过程,在这段时间内,电压和电流相乘即是mos管的损耗大小。一般开关的损耗要比导通的损耗要大很多,并且要是开关---率越高,损耗就越大。导通瞬间的电压和电流相乘的数值越大,导致其损耗也越大。如果我们能减少开关时间,就能够减少每次导通时的损耗,减少开关的频率,也就能够减少一定时间内开关的频次,从而做到减少开关损耗。
公司成立于2013年7月,---从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售,在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您---适合的芯片方案。
mos 管本身有着诸多优势,但同时mos管具备较敏感的短时过载能力,---是在高频率的运用场景,因此在运用功率 mos 管务必为其制定有效的保护电路来提升器件的稳定性。
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