下边是mos无效的六大缘故：
1：山崩无效（工作电压无效），也就是人们常说的漏源间的bvdss工作电压超出mosfet的额定电流，而且超出做到了一定的功能进而导致mosfet无效。
2：soa无效（电流量无效），既超过mosfet安全工作区造成无效，分成id超过器件规格型号无效及其id过大，耗损过高器件长期热累积而导致的无效。
3：体二极管无效：在桥式、llc等有效到体二极管开展续流的网络拓扑结构中，3080mos价格，因为体二极管遭到影响而导致的无效。
4：串联谐振无效：在串联应用的环节中，栅极及电源电路寄生参数导致波动造成的无效。
5：静电感应无效：在冬秋时节，因为身体及机器设备静电感应而导致的器件无效。
6：栅极工作电压无效：因为栅极遭到出现异常工作电压顶i峰，而导致栅极栅氧层无效。
---情况有：
1.电路设计的问题，就是让mos管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致mos管---的一个原因。如果n-mos做开关，g级电压要比电源高几v，才能完全导通，p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，3080mos万芯半导体，所以u*i也增大，损耗就意味着---。这是设计电路的非常忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，mos管上的损耗增大了，所以---也加大了。
3.没有做好足够的散热设计，电流太高，3080mos生产厂家，mos管标称的电流值，一般需要---的散热才能达到。所以id小于大电流，也可能------，需要足够的辅助散热片。
4.mos管的选型有误，永康3080mos，对功率判断有误，mos管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
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结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极也就是晶体管的那个基极，漏极和源极分别是对应晶体管的集电极和发射极。把万用表调到r×1k档，用两表笔分别去测量两个管脚间的正向电阻和反向电阻。当某两个管脚间的正向电阻=反向电阻=kω的时候，也就是这两个管脚为源极s和漏极d，剩下的管脚就是栅极g。如果是4个管脚的结型场效应管，另外的一极则是使用中接地的屏蔽极。
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