慈溪中低压mos-炫吉电子-wp中低压mos

---情况有：

1.电路设计的问题，就是让mos管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致mos管---的一个原因。如果n-mos做开关，g级电压要比电源高几v，才能完全导通，p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，慈溪中低压mos，压降增大，所以u*i也增大，损耗就意味着---。这是设计电路的非常忌讳的错误。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，mos管上的损耗增大了，所以---也加大了。

3.没有做好足够的散热设计，电流太高，mos管标称的电流值，一般需要---的散热才能达到。所以id小于大电流，也可能------，需要足够的辅助散热片。

4.mos管的选型有误，对功率判断有误，mos管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

参考电压可以来自于采样电阻，也就是在nmos的s极接一个大功率小电阻后接地，中低压mos万芯半导体，这个电阻做电流采样，当电流流过电阻后会形成电压，把它放大处理后做参考。

刚开始的时候，电流很小，所以控制电压比参考电压高很多，可以使管子迅速导通，在很短时间后，当电流增大逐步达到某个值时，参考电压迅速上升，与控制电压接近并超过时，比较器就输出低电平（接近0v）使管子截止，电流减小。然后电流减少后，参考电压又下去，管子又导通，电流又增大。然后周而复始。