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场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以fet管的gate电流非常小。普通的fet用一薄层二氧化硅来作为gate极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(mos)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(mosfet)。因为mos管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
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mos管有的时候也称作绝缘栅场效应管,因为它归属于场效应管中的绝缘栅型,全名是金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管,是一种能够普遍应用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。依据其“通道”(工作载流子)的极性差异,可分成“n型”与“p型”的两个类型,中低压mos厂家,也就是常说的nmos、pmos。
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mos管的选型是很重要的一个环节,mos管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,同时也会给---带来诸多麻烦。
为设计选择正确器件的头一步是决定采用n沟道还是p沟道mos管。
在典型的功率应用中,当一个mos管接地,而负载连接到干线电压上时,该mos管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用n沟道mos管,中低压mos生产厂家,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当mos管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用p沟道mos管,这也是出于对电压驱动的考虑。
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