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电子元器件都有电气参数，在选型时要给电子元器件留出足够的余量，才能---电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和mos管的选型方法。

三极管是一种流控型器件，mos管是压控型器件，两者之间有相似之处，在选择时需要考虑耐压、电流等参数。

1、根据耐压选型

三极管的集电极c与发射极e之间能承受的电压参数为v(br)ceo，工作时ce之间的电压不得超过规定值，否则三极管将永i久损坏。

在使用过程中，mos管的漏极d与源极s之间也存在电压，工作时ds两端的电压不能超过规定值。一般来说，mos管的耐压值远高于三极管。

2、过电流能力

三极管有icm参数，即集电极的过电流能力，mos管的过电流能力以id来表示。当电流工作时，流过三极管/mos管的电流不能超过规定值，否则器件将会被烧坏。

考虑到工作稳定性，一般要留出30%-50%，甚至更多的余量。

3、工作温度

商业级芯片：一般范围在0到+70℃；

工业级芯片:一般范围在-40到+85℃；

军i工级芯片：一般范围在-55℃到+150℃；

在进行mos管选型时，要根据产品的使用场合选择合适的芯片。

4、根据开关频率选择

三极管和mos管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中，必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。

5、其他选型条件

例如，mos管的导通电阻ron参数、mos管的vth开启电压等。

下边是mos无效的六大缘故：

1：山崩无效（工作电压无效），2090mos公司，也就是人们常说的漏源间的bvdss工作电压超出mosfet的额定电流，而且超出做到了一定的功能进而导致mosfet无效。

2：soa无效（电流量无效），既超过mosfet安全工作区造成无效，分成id超过器件规格型号无效及其id过大，耗损过高器件长期热累积而导致的无效。

3：体二极管无效：在桥式、llc等有效到体二极管开展续流的网络拓扑结构中，因为体二极管遭到影响而导致的无效。

4：串联谐振无效：在串联应用的环节中，栅极及电源电路寄生参数导致波动造成的无效。

5：静电感应无效：在冬秋时节，因为身体及机器设备静电感应而导致的器件无效。

6：栅极工作电压无效：因为栅极遭到出现异常工作电压顶i峰，而导致栅极栅氧层无效。