万芯mos管公司-炫吉电子-宁波万芯mos管

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    2024-3-20

陈鹤
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mos管制造商采用rds(on)参数来定义导通阻抗,对开关应用来说,rds(on)也是重要的器件特性。数据手册定义rds(on)与栅极(或驱动)电压vgs以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,rds(on)是一个相对静态参数。一直处于导通的mos管很容易---。另外,慢慢升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数,其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的简单的定义是结到管壳的热阻抗。






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场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,万芯mos管价格,所以fet管的gate电流非常小。普通的fet用一薄层二氧化硅来作为gate极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(mos)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(mosfet)。因为mos管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。






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mos管的选型是很重要的一个环节,mos管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,宁波万芯mos管,同时也会给---带来诸多麻烦。

为设计选择正确器件的头一步是决定采用n沟道还是p沟道mos管。

在典型的功率应用中,当一个mos管接地,而负载连接到干线电压上时,该mos管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用n沟道mos管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当mos管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用p沟道mos管,这也是出于对电压驱动的考虑。







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