mos公司-台州mos-苏州炫吉电子

公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

mos管制造商采用rds(on)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，rds(on)也是重要的器件特性。数据手册定义rds(on)与栅极(或驱动)电压vgs以及流经开关的电流有关，mos厂家，但对于充分的栅极驱动，rds(on)是一个相对静态参数。一直处于导通的mos管很容易---。另外，慢慢升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的简单的定义是结到管壳的热阻抗。

---情况有：

1.电路设计的问题，就是让mos管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致mos管---的一个原因。如果n-mos做开关，g级电压要比电源高几v，才能完全导通，p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以u*i也增大，损耗就意味着---。这是设计电路的非常忌讳的错误。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，mos管上的损耗增大了，所以---也加大了。

3.没有做好足够的散热设计，电流太高，mos管标称的电流值，一般需要---的散热才能达到。所以id小于大电流，也可能------，需要足够的辅助散热片。

4.mos管的选型有误，对功率判断有误，mos管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。