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 mosfet管有两个电极，wp2090mos，一个是金属，另一个是外在硅，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。mosfet管一般被生产制造为四种类型，分别是增强型和耗尽型、p沟道和n沟道这四种，但其实在实际的运用中一般只用增强型的n沟道和增强型的p沟道mos管，因此一般情况下只要提及nmos或是pmos便是指的是这两种。

     针对这两种增强型的mos管，其中较为普遍使用的是nmos —— 原因是增强型的n沟道mos管的导通电阻更小，2090mos厂家，并且生产简便，因此在开关电源和电机驱动的运用中，我们一般使用增强型的n沟道mos管。

     mos管的三个管脚中有寄生电容的存在，虽然说这并不是大家所需要的，但其中生产制造加工工艺需要寄生电容的存在。有了寄生电容，这让其设计方案或挑选驱动电源电路的情况下会更麻烦一些，其中还没有解决的办法能避免。

     在mos管的漏极和源极中有一个寄生二极管叫做体二极管，就驱动感性负载来说，二极管对其十分重要。顺带说一句，体二极管只在单独的mos管内存在，在集成电路芯片內部一般都是没有的。

公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

用电源ic立即驱动mos管

一个好的mos管驱动电路有下面几点规定：

（1）开关管启用瞬间，驱动电路应能输出非常大的电流，使mos管栅源极间工作电压快速升高到所需值，---开关管能迅速开启且不会有上升沿的高频率震荡。

（2）电源开关通断期内，驱动电路能---mos管栅源极间工作电压长期保持，且有效通导。

（3）关闭一瞬间驱动电路，能供应一个尽量低阻抗的通道，供mos管栅源极间电容工作电压的迅速泄流，---开关管能迅速关闭。

（4）驱动电路构造简易---、耗损小。

（5）依据具体情况开展防护。

在控制模块电源中，常见的是电源ic直接驱动mos管。应用中，应当留意较大驱动高值电流量、mos管的分布电容2个主要参数。电源ic的驱动能力、mos分布电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害mos管电源开关速率。假如挑选mos管分布电容较为大，电源ic內部的驱动能力又不够时，必须在驱动电路上提高驱动能力，常应用图腾柱电源电路提升电源ic驱动能力。