mos管fet栅源保护：
1）避免 栅极 di/dt 过高
因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生，一般在 mos 控制器的导出与 mos 管的栅极中间串连一个电阻器，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。
2）避免 栅源极间过压
因为栅极与源极的特性阻抗---，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此，要在 mos 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下，保护 mos 管不被穿透。
3）安全防护漏源极中间过压
尽管漏源击穿电压 vds 一般都非常大，但假如漏源极不用保护电路，启东2090mos，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压，从而毁坏 mos 管，功率管电源开关速率越快，造成的过压也就越高。为了---地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和 rc 缓存电路等保护对策。
---情况有：
1.电路设计的问题，wp2090mos，就是让mos管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致mos管---的一个原因。如果n-mos做开关，g级电压要比电源高几v，才能完全导通，p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以u*i也增大，损耗就意味着---。这是设计电路的非常忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，mos管上的损耗增大了，所以---也加大了。
3.没有做好足够的散热设计，2090mos万芯半导体，电流太高，2090mos厂家，mos管标称的电流值，一般需要---的散热才能达到。所以id小于大电流，也可能------，需要足够的辅助散热片。
4.mos管的选型有误，对功率判断有误，mos管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。
mos管是利用vgs去控制“感应电荷”的多少，由此去改变由这些“感应电荷”所形成的导电沟道的状况，以此来控制漏极电流。在管子制造时，通过一些特殊工艺使得绝缘层出现大量的正离子，所以在交界面另一侧可以感测出比较多的负电荷，高渗杂质的n区被这些负电荷接通，导电沟道也就形成了，即便在vgs为0时也会有比较大的漏极电流id。如果栅极电压发生改变时，沟道里的被感应电荷量也会发生改变，导电沟道中的宽窄也会随着改变，因此漏极电流id会伴随着栅极电压的变化而发生变化。
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