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mos管制造商采用rds(on)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，rds(on)也是重要的器件特性。数据手册定义rds(on)与栅极(或驱动)电压vgs以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，rds(on)是一个相对静态参数。一直处于导通的mos管很容易---。另外，慢慢升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的简单的定义是结到管壳的热阻抗。

公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，中低压mos厂家，所以fet管的gate电流非常小。普通的fet用一薄层二氧化硅来作为gate极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(mos)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（mosfet）。因为mos管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。