




公司成立于2013年7月,---从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售,在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您---适合的芯片方案。
在电源开关等供电系统设计方案中,方案设计人员会更多关注mos管的多个主要参数,如通断电阻器、较大工作电压、较大电流量。这种要素虽然关键,大电流mos公司,考虑到不当之处会使电源电路没---常的工作中,但其实这只完成了头一步,mos管自身的寄生参数才算是危害电源电路的重要之处。

电子元器件都有电气参数,在选型时要给电子元器件留出足够的余量,才能---电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和mos管的选型方法。
三极管是一种流控型器件,mos管是压控型器件,两者之间有相似之处,在选择时需要考虑耐压、电流等参数。
1、根据耐压选型
三极管的集电极c与发射极e之间能承受的电压参数为v(br)ceo,工作时ce之间的电压不得超过规定值,否则三极管将永i久损坏。
在使用过程中,mos管的漏极d与源极s之间也存在电压,工作时ds两端的电压不能超过规定值。一般来说,mos管的耐压值远高于三极管。
2、过电流能力
三极管有icm参数,大电流mos厂家,即集电极的过电流能力,mos管的过电流能力以id来表示。当电流工作时,流过三极管/mos管的电流不能超过规定值,否则器件将会被烧坏。
考虑到工作稳定性,一般要留出30%-50%,甚至更多的余量。
3、工作温度
商业级芯片:一般范围在0到+70℃;
工业级芯片:一般范围在-40到+85℃;
军i工级芯片:一般范围在-55℃到+150℃;
在进行mos管选型时,要根据产品的使用场合选择合适的芯片。
4、根据开关频率选择
三极管和mos管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中,必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。
5、其他选型条件
例如,mos管的导通电阻ron参数、mos管的vth开启电压等。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。mos管的source和drain是可以对调的,他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下,大电流mos生产厂家,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到mos管。mos管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。
无论n型或者p型mos管,南通大电流mos,其工作原理本质是一样的。mos管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。mos管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,mos管的开关速度应该比三极管快。
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