中低压mos-炫吉-wp中低压mos

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    2024-1-25

陈鹤
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mos管制造商采用rds(on)参数来定义导通阻抗,对开关应用来说,rds(on)也是重要的器件特性。数据手册定义rds(on)与栅极(或驱动)电压vgs以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,rds(on)是一个相对静态参数。一直处于导通的mos管很容易---。另外,慢慢升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数,其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的简单的定义是结到管壳的热阻抗。






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半导体工艺制程不断缩小,mos器件尺寸随之不断减小,当达到纳米级别后,受功耗密度、散热效率等因素影响,传统mos器件出现一系列性能问题,性能与---性会退化,无法满足集成电路要求。围栅硅纳米线mos器件具有优良的栅控能力,在保持性能与---性方面更具优势,且具有---的cmos工艺兼容能力,因此成为mos器件的重要发展方向。






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我国是全---的mos器件市场,2020年,我国mos器件市场规模约为187亿元,中低压mos公司,在全总市场中的占比达到45%。我国是全---的智能手机、汽车生产国,5g技术处于全的头部位置,且新型电子产品不断问世,因此mos器件市场前景好,且高的性能的产品需求不断上升。这些因素有利于我国围栅硅纳米线mos器件行业发展。






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