




一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。g:gate 栅极;s:source 源极;d:drain 漏极。mos管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为pmos管(p沟道型)和nmos(n沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
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mos管导通的意思就是将其做为开关,等同于开关合闭。nmos的特点是当vgs超过限定的值时就会导通,适用与源极接地装置的状况,只需栅压电压做到4v或10v就可以了。而pmos的特点则是当vgs低于一定的值就会导通,中低压mos公司,适用与源极接vcc的状况。可是,尽管pmos能够很便捷的作为高i档驱动,但因为导通电阻器大、价钱成本高、更换类型少等缘故,在高i档驱动中,一般都用nmos。
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分辨mos管优劣的办法有二种:
一种:定性分辨mos管的优劣
先用万用表r×10kω挡(内嵌有9v或15v充电电池),把负表笔(黑)接栅极(g),正表笔(红)接源极(s)。给栅,源极中间电池充电,这时万用表表针有轻度偏转。再改成万用表r×1ω挡,将负表笔接漏极(d),中低压mos价格,正笔接源极(s),万用表标示值若为几欧母,则表明mos管是好的。
第二种:定性分辨结型mos管的电级
将万用表拨至r×100档,红表笔随意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬在空中。若发觉表针有轻微的晃动,就证实第三脚为栅极。欲得到更---的观查实际效果,还可电子振动挨近或是用手指触碰悬在空中脚,只需见到表针作大幅偏转,即表明悬在空中脚是栅极,其他二脚分别是源极和漏极。

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