




一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。g:gate 栅极;s:source 源极;d:drain 漏极。mos管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为pmos管(p沟道型)和nmos(n沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
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mos 管本身有着诸多优势,但同时mos管具备较敏感的短时过载能力,---是在高频率的运用场景,因此在运用功率 mos 管务必为其制定有效的保护电路来提升器件的稳定性。
mosfet管有两个电极,一个是金属,另一个是外在硅,中低压mos,他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。mosfet管一般被生产制造为四种类型,分别是增强型和耗尽型、p沟道和n沟道这四种,但其实在实际的运用中一般只用增强型的n沟道和增强型的p沟道mos管,因此一般情况下只要提及nmos或是pmos便是指的是这两种。
针对这两种增强型的mos管,其中较为普遍使用的是nmos —— 原因是增强型的n沟道mos管的导通电阻更小,并且生产简便,因此在开关电源和电机驱动的运用中,我们一般使用增强型的n沟道mos管。
mos管的三个管脚中有寄生电容的存在,虽然说这并不是大家所需要的,但其中生产制造加工工艺需要寄生电容的存在。有了寄生电容,这让其设计方案或挑选驱动电源电路的情况下会更麻烦一些,中低压mos价格,其中还没有解决的办法能避免。
在mos管的漏极和源极中有一个寄生二极管叫做体二极管,就驱动感性负载来说,中低压mos公司,二极管对其十分重要。顺带说一句,体二极管只在单独的mos管内存在,在集成电路芯片內部一般都是没有的。
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