mos万芯半导体-苏州炫吉电子科技-苏州mos

mos管失效的两个主要原因：

电压失效：即漏源间的bvdss电压超过mos管额定电压，达到一定容量，造成mos管失效。

栅电压故障：栅极遭受异常电压尖峰，造成栅氧层故障。

雪崩破坏到底是什么？简单地说，mos管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与mos管之间叠加而形成的故障模式。简而言之，即mos管漏源极的电压超过了它规定的电压值，苏州mos，并且达到了某一能量---i时所产生的常见故障。

造成栅电压异常高的主要原因有三个：生产、运输和装配过程中的静电；设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振；在高压冲击时，高压通过ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。

公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

mos管的选型是很重要的一个环节，mos管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，同时也会给---带来诸多麻烦。

为设计选择正确器件的头一步是决定采用n沟道还是p沟道mos管。

在典型的功率应用中，当一个mos管接地，而负载连接到干线电压上时，mos生产厂家，该mos管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用n沟道mos管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当mos管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用p沟道mos管，这也是出于对电压驱动的考虑。