mos万芯半导体-mos-苏州炫吉电子科技

公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

半导体工艺制程不断缩小，mos器件尺寸随之不断减小，当达到纳米级别后，受功耗密度、散热效率等因素影响，mos价格，传统mos器件出现一系列性能问题，性能与---性会退化，mos，无法满足集成电路要求。围栅硅纳米线mos器件具有优良的栅控能力，在保持性能与---性方面更具优势，且具有---的cmos工艺兼容能力，因此成为mos器件的重要发展方向。

---情况有：

1.电路设计的问题，就是让mos管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致mos管---的一个原因。如果n-mos做开关，g级电压要比电源高几v，才能完全导通，p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以u*i也增大，损耗就意味着---。这是设计电路的非常忌讳的错误。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，mos管上的损耗增大了，所以---也加大了。

3.没有做好足够的散热设计，电流太高，mos管标称的电流值，一般需要---的散热才能达到。所以id小于大电流，也可能------，需要足够的辅助散热片。

4.mos管的选型有误，对功率判断有误，mos管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。