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mos管失效的两个主要原因：

电压失效：即漏源间的bvdss电压超过mos管额定电压，达到一定容量，造成mos管失效。

栅电压故障：栅极遭受异常电压尖峰，造成栅氧层故障。

雪崩破坏到底是什么？简单地说，mos管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与mos管之间叠加而形成的故障模式。简而言之，即mos管漏源极的电压超过了它规定的电压值，并且达到了某一能量---i时所产生的常见故障。

造成栅电压异常高的主要原因有三个：生产、运输和装配过程中的静电；设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振；在高压冲击时，高压通过ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。

公司成立于2013年7月，wpmos管价格，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

用电源ic立即驱动mos管

一个好的mos管驱动电路有下面几点规定：

（1）开关管启用瞬间，wpmos管生产厂家，驱动电路应能输出非常大的电流，使mos管栅源极间工作电压快速升高到所需值，---开关管能迅速开启且不会有上升沿的高频率震荡。

（2）电源开关通断期内，驱动电路能---mos管栅源极间工作电压长期保持，且有效通导。

（3）关闭一瞬间驱动电路，能供应一个尽量低阻抗的通道，供mos管栅源极间电容工作电压的迅速泄流，---开关管能迅速关闭。

（4）驱动电路构造简易---、耗损小。

（5）依据具体情况开展防护。

在控制模块电源中，wpmos管，常见的是电源ic直接驱动mos管。应用中，应当留意较大驱动高值电流量、mos管的分布电容2个主要参数。电源ic的驱动能力、mos分布电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害mos管电源开关速率。假如挑选mos管分布电容较为大，电源ic內部的驱动能力又不够时，必须在驱动电路上提高驱动能力，常应用图腾柱电源电路提升电源ic驱动能力。