苏州炫吉-中低压mos价格-启东中低压mos

公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

场效应管有两大类型：n沟道和p沟道。在功率系统中，场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻rds（on）。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅---悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即idss。

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mos管的选型是很重要的一个环节，mos管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，同时也会给---带来诸多麻烦。

为设计选择正确器件的头一步是决定采用n沟道还是p沟道mos管。

在典型的功率应用中，启东中低压mos，当一个mos管接地，而负载连接到干线电压上时，该mos管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用n沟道mos管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当mos管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用p沟道mos管，这也是出于对电压驱动的考虑。