大电流mos万芯半导体-南通大电流mos-炫吉电子科技公司

公司成立于2013年7月，南通大电流mos，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

mos管的选型是很重要的一个环节，mos管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，同时也会给---带来诸多麻烦。

为设计选择正确器件的头一步是决定采用n沟道还是p沟道mos管。

在典型的功率应用中，当一个mos管接地，而负载连接到干线电压上时，该mos管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用n沟道mos管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当mos管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用p沟道mos管，这也是出于对电压驱动的考虑。

公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，大电流mos万芯半导体，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

mos管失效的六个原因：

1、电压失效是大家常说漏源间的bvdss电压超出了mosfet的额定电压，而且超出了一定的能力进而导致mosfet失效。

2、电流失效即是超过了mosfet安全工作范围而造成的无效，其中又分为id超出器件规格而导致的失效以及其id过大，耗损过高导致器件长期热累积而导致的失效。

3、在桥式、llc等有效到体二极管开展续流的拓扑结构中，wp大电流mos，因为体二极管遭到毁坏而导致的无效。

4、在并联的应用过程中，栅极跟电路寄生参数导致波动会造成谐振失效。

5、在干燥的环境中，因为人体跟设备而产生的静电会导致器件的静电无效。

6、因为栅极出现异常工作电压顶i峰，导致栅极电压无效。