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mos,是mosfet的缩写。mosfet金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, mosfet)。
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分辨mos管优劣的办法有二种:
一种:定性分辨mos管的优劣
先用万用表r×10kω挡(内嵌有9v或15v充电电池),把负表笔(黑)接栅极(g),正表笔(红)接源极(s)。给栅,源极中间电池充电,这时万用表表针有轻度偏转。再改成万用表r×1ω挡,将负表笔接漏极(d),正笔接源极(s),万用表标示值若为几欧母,则表明mos管是好的。
第二种:定性分辨结型mos管的电级
将万用表拨至r×100档,红表笔随意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬在空中。若发觉表针有轻微的晃动,就证实第三脚为栅极。欲得到更---的观查实际效果,还可电子振动挨近或是用手指触碰悬在空中脚,余姚万芯mos管,只需见到表针作大幅偏转,即表明悬在空中脚是栅极,万芯mos管厂家,其他二脚分别是源极和漏极。

一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。g:gate 栅极;s:source 源极;d:drain 漏极。mos管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为pmos管(p沟道型)和nmos(n沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
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