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电源作为电子设备的配电元器件,除开特性要考虑供电系统设备的规定以外,其自己的防护措施也很重要,中低压mos万芯半导体,如过电流、过电压、超温维护等。一旦电源没有过流保护设计方案,在输出短路故障或过载的时候会造成电源损坏,也有很有可能进一步造成电子设备毁坏,乃至造成实际操作工作人员的触电事故及火情等安全事故,而电源的过流保护跟使用的mos管相关。
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场效应管的主要参数有很多种,温州中低压mos,其中包含直流电流、交流电流的参数和---参数,中低压mos公司,但一般应用时只需关心下列基本参数:饱和状态的漏源电流量idss夹断电压up,跨导gm、漏源击穿电压buds、较大损耗输出功率pdsm和较大漏源电流量idsm。
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结型场效应管的管脚识别:场效应管的栅极也就是晶体管的那个基极,漏极和源极分别是对应晶体管的集电极和发射极。把万用表调到r×1k档,用两表笔分别去测量两个管脚间的正向电阻和反向电阻。当某两个管脚间的正向电阻=反向电阻=kω的时候,也就是这两个管脚为源极s和漏极d,剩下的管脚就是栅极g。如果是4个管脚的结型场效应管,另外的一极则是使用中接地的屏蔽极。
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