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场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以fet管的gate电流非常小。普通的fet用一薄层二氧化硅来作为gate极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(mos)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（mosfet）。因为mos管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

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场效应管的主要参数有很多种，万芯mos管生产厂家，其中包含直流电流、交流电流的参数和---参数，但一般应用时只需关心下列基本参数：饱和状态的漏源电流量idss夹断电压up，跨导gm、漏源击穿电压buds、较大损耗输出功率pdsm和较大漏源电流量idsm。