3080mos万芯半导体-宁波3080mos-苏州炫吉

电子元器件都有电气参数，宁波3080mos，在选型时要给电子元器件留出足够的余量，才能---电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和mos管的选型方法。

三极管是一种流控型器件，mos管是压控型器件，两者之间有相似之处，在选择时需要考虑耐压、电流等参数。

1、根据耐压选型

三极管的集电极c与发射极e之间能承受的电压参数为v(br)ceo，工作时ce之间的电压不得超过规定值，否则三极管将永i久损坏。

在使用过程中，mos管的漏极d与源极s之间也存在电压，工作时ds两端的电压不能超过规定值。一般来说，mos管的耐压值远高于三极管。

2、过电流能力

三极管有icm参数，即集电极的过电流能力，mos管的过电流能力以id来表示。当电流工作时，流过三极管/mos管的电流不能超过规定值，否则器件将会被烧坏。

考虑到工作稳定性，一般要留出30%-50%，甚至更多的余量。

3、工作温度

商业级芯片：一般范围在0到+70℃；

工业级芯片:一般范围在-40到+85℃；

军i工级芯片：一般范围在-55℃到+150℃；

在进行mos管选型时，要根据产品的使用场合选择合适的芯片。

4、根据开关频率选择

三极管和mos管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中，必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。

5、其他选型条件

例如，mos管的导通电阻ron参数、mos管的vth开启电压等。

公司成立于2013年7月，3080mos厂家，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

mos管制造商采用rds(on)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，rds(on)也是重要的器件特性。数据手册定义rds(on)与栅极(或驱动)电压vgs以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，rds(on)是一个相对静态参数。一直处于导通的mos管很容易---。另外，慢慢升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的简单的定义是结到管壳的热阻抗。