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mos管是利用vgs去控制“感应电荷”的多少,由此去改变由这些“感应电荷”所形成的导电沟道的状况,以此来控制漏极电流。在管子制造时,通过一些特殊工艺使得绝缘层出现大量的正离子,所以在交界面另一侧可以感测出比较多的负电荷,高渗杂质的n区被这些负电荷接通,导电沟道也就形成了,即便在vgs为0时也会有比较大的漏极电流id。如果栅极电压发生改变时,沟道里的被感应电荷量也会发生改变,导电沟道中的宽窄也会随着改变,因此漏极电流id会伴随着栅极电压的变化而发生变化。
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场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以fet管的gate电流非常小。普通的fet用一薄层二氧化硅来作为gate极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(mos)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(mosfet)。因为mos管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
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场效应管有两大类型:n沟道和p沟道。在功率系统中,场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻rds(on)。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端,因此,大电流mos价格,总是要在栅极加上一个电压。如果栅---悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,启东大电流mos,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即idss。
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