炫吉电子-mos万芯半导体-启东mos

mos管失效的两个主要原因：

电压失效：即漏源间的bvdss电压超过mos管额定电压，达到一定容量，造成mos管失效。

栅电压故障：栅极遭受异常电压尖峰，造成栅氧层故障。

雪崩破坏到底是什么？简单地说，mos管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与mos管之间叠加而形成的故障模式。简而言之，即mos管漏源极的电压超过了它规定的电压值，并且达到了某一能量---i时所产生的常见故障。

造成栅电压异常高的主要原因有三个：生产、运输和装配过程中的静电；设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振；在高压冲击时，高压通过ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。

 mosfet管有两个电极，一个是金属，另一个是外在硅，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。mosfet管一般被生产制造为四种类型，分别是增强型和耗尽型、p沟道和n沟道这四种，但其实在实际的运用中一般只用增强型的n沟道和增强型的p沟道mos管，因此一般情况下只要提及nmos或是pmos便是指的是这两种。

     针对这两种增强型的mos管，其中较为普遍使用的是nmos —— 原因是增强型的n沟道mos管的导通电阻更小，并且生产简便，因此在开关电源和电机驱动的运用中，启东mos，我们一般使用增强型的n沟道mos管。

     mos管的三个管脚中有寄生电容的存在，mos生产厂家，虽然说这并不是大家所需要的，但其中生产制造加工工艺需要寄生电容的存在。有了寄生电容，mos价格，这让其设计方案或挑选驱动电源电路的情况下会更麻烦一些，其中还没有解决的办法能避免。

     在mos管的漏极和源极中有一个寄生二极管叫做体二极管，就驱动感性负载来说，二极管对其十分重要。顺带说一句，体二极管只在单独的mos管内存在，在集成电路芯片內部一般都是没有的。