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mos管的选型是很重要的一个环节,mos管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,同时也会给---带来诸多麻烦。
为设计选择正确器件的头一步是决定采用n沟道还是p沟道mos管。
在典型的功率应用中,中低压mos万芯半导体,当一个mos管接地,而负载连接到干线电压上时,该mos管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用n沟道mos管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当mos管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用p沟道mos管,这也是出于对电压驱动的考虑。
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场效应管有两大类型:n沟道和p沟道。在功率系统中,场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,宁海中低压mos,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻rds(on)。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端,因此,总是要在栅极加上一个电压。如果栅---悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,中低压mos厂家,即idss。
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场效应管的主要参数有很多种,其中包含直流电流、交流电流的参数和---参数,但一般应用时只需关心下列基本参数:饱和状态的漏源电流量idss夹断电压up,跨导gm、漏源击穿电压buds、较大损耗输出功率pdsm和较大漏源电流量idsm。
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