




公司成立于2013年7月,---从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售,在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您---适合的芯片方案。
跟双旋光性晶体三极管对比,一般觉得使mos管导通不用电流量,只需要gs电压高过一定的值就可以了。做到这一点比较容易,我们主要是需要一定的速率。
对于mos管的结构来说,我们可以发现在gs、gd里会有一些寄生电容,而mos管的驱动,中低压mos厂家,实际上就是对电容充电和放电。对于电容的充电我们只需要一个电流就够了,由于电容在充电的瞬间相当于可以把电容当做是短路,这个时候的瞬间电流会比一般情况下数值要高一些。因此我们再挑选或者是设计mos管驱动电路方案的时候,首先要先留意可提供的瞬间短路电流大小。

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参考电压可以来自于采样电阻,也就是在nmos的s极接一个大功率小电阻后接地,这个电阻做电流采样,当电流流过电阻后会形成电压,把它放大处理后做参考。
刚开始的时候,电流很小,所以控制电压比参考电压高很多,可以使管子迅速导通,wp中低压mos,在很短时间后,当电流增大逐步达到某个值时,参考电压迅速上升,与控制电压接近并超过时,比较器就输出低电平(接近0v)使管子截止,电流减小。然后电流减少后,参考电压又下去,管子又导通,电流又增大。然后周而复始。

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mos管,中低压mos,是在集成电路里的带有绝缘性的场效应管。mos 管作为半导体领域基础的器件之一,不管是在板级电路的应用上,还是ic的设计里,都十分广泛。mos管的drain和source是可以相互调换过来的的,都是在p型backgate里形成的一个n型区。在普遍的情况下,这两个区都是相同的,就算这两段相互调换过来也是不会去影响到器件的性能。所以这器件被认为是对称的。
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