




电子元器件都有电气参数,mos万芯半导体,在选型时要给电子元器件留出足够的余量,才能---电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和mos管的选型方法。
三极管是一种流控型器件,mos管是压控型器件,两者之间有相似之处,在选择时需要考虑耐压、电流等参数。
1、根据耐压选型
三极管的集电极c与发射极e之间能承受的电压参数为v(br)ceo,工作时ce之间的电压不得超过规定值,否则三极管将永i久损坏。
在使用过程中,mos管的漏极d与源极s之间也存在电压,工作时ds两端的电压不能超过规定值。一般来说,mos公司,mos管的耐压值远高于三极管。
2、过电流能力
三极管有icm参数,即集电极的过电流能力,mos管的过电流能力以id来表示。当电流工作时,流过三极管/mos管的电流不能超过规定值,否则器件将会被烧坏。
考虑到工作稳定性,一般要留出30%-50%,甚至更多的余量。
3、工作温度
商业级芯片:一般范围在0到+70℃;
工业级芯片:一般范围在-40到+85℃;
军i工级芯片:一般范围在-55℃到+150℃;
在进行mos管选型时,要根据产品的使用场合选择合适的芯片。
4、根据开关频率选择
三极管和mos管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中,必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。
5、其他选型条件
例如,mos管的导通电阻ron参数、mos管的vth开启电压等。

公司成立于2013年7月,---从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售,在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您---适合的芯片方案。
做电源电路,或是做推动领域的电源电路,免不了要使用mos管。mos管有很多类型,也是有许多功效。做开关电源或是推动的应用,自然便是用它的开关功效。
不管n型或是p型mos管,其原理实质是一样的。mos管是由加在键入端栅极的电流来调节輸出端漏极的电流。mos管是压控器件它根据加在栅极上的电流---器件的特点,不容易产生像三极管做开关时的因基极电流造成的正电荷储存效用,mos,因而在开关运用中,mos管的开关速率应当比三极管快。

公司成立于2013年7月,---从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售,在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您---适合的芯片方案。
无论是nmos或是pmos,导通后都会有导通电阻,使得电流在电阻上耗费一定的电能,mos价格,这种耗费叫做导通耗损。这时我们只要挑选导通电阻小的mos管就可以减少导通耗损,如今的小功率mos管导通电阻一般也就几十毫欧的样子,甚至几毫欧的都有。mos在导通和截至的情况下,并不是在一瞬间完成的。
mos两边的电压有一个降低的过程,流过的电流则有一个升高的过程,在这段时间内,电压和电流相乘即是mos管的损耗大小。一般开关的损耗要比导通的损耗要大很多,并且要是开关---率越高,损耗就越大。导通瞬间的电压和电流相乘的数值越大,导致其损耗也越大。如果我们能减少开关时间,就能够减少每次导通时的损耗,减少开关的频率,也就能够减少一定时间内开关的频次,从而做到减少开关损耗。
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