wp中低压mos-中低压mos-苏州炫吉电子

---情况有：

1.电路设计的问题，就是让mos管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致mos管---的一个原因。如果n-mos做开关，g级电压要比电源高几v，才能完全导通，p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以u*i也增大，损耗就意味着---。这是设计电路的非常忌讳的错误。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，mos管上的损耗增大了，所以---也加大了。

3.没有做好足够的散热设计，电流太高，mos管标称的电流值，一般需要---的散热才能达到。所以id小于大电流，也可能------，需要足够的辅助散热片。

4.mos管的选型有误，对功率判断有误，mos管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

mos管小电流---的缘故

　　1、电路原理的难题，便是让mos管工作中在线形的运行状态，而不是在开关情况。这也是造成 mos管---的一个缘故。假如n-mos做开关，中低压mos生产厂家，g级工作电压要比开关电源高几v，才可以彻i底通断，p-mos则反过来。沒有彻i底开启而损耗过大导致输出功率耗费，等效电路直流电特性阻抗较为大，损耗扩大，因此u*i也扩大，耗损就代表着---。这也是设计方案控制电路的避讳的不正确。

　　2、---率太高，wp中低压mos，主要是有时候太过追求完i美容积，造成 ---率提升，mos管上的消耗扩大了，因此---也增加了。

　　3、沒有做到充足的排热设计方案，电流太高，mos管允差的电流值，一般必须保持---的排热才可以做到。因此id低于较大电流，也很有可能---比较---，必须充足的輔助散热器。

　　4、mos管的型号选择不正确，对输出功率分辨不正确，mos管内电阻沒有考虑到，造成开关特性阻抗扩大。