---情况有：
1.电路设计的问题，3080mos厂家，就是让mos管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致mos管---的一个原因。如果n-mos做开关，g级电压要比电源高几v，才能完全导通，p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以u*i也增大，损耗就意味着---。这是设计电路的非常忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，mos管上的损耗增大了，所以---也加大了。
3.没有做好足够的散热设计，电流太高，mos管标称的电流值，一般需要---的散热才能达到。所以id小于大电流，也可能------，需要足够的辅助散热片。
4.mos管的选型有误，3080mos公司，对功率判断有误，mos管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，永康3080mos，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。
mos管制造商采用rds(on)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，rds(on)也是重要的器件特性。数据手册定义rds(on)与栅极(或驱动)电压vgs以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，rds(on)是一个相对静态参数。一直处于导通的mos管很容易---。另外，慢慢升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数，3080mos万芯半导体，其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的简单的定义是结到管壳的热阻抗。
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mos管导通的意思就是将其做为开关，等同于开关合闭。nmos的特点是当vgs超过限定的值时就会导通，适用与源极接地装置的状况，只需栅压电压做到4v或10v就可以了。而pmos的特点则是当vgs低于一定的值就会导通，适用与源极接vcc的状况。可是，尽管pmos能够很便捷的作为高i档驱动，但因为导通电阻器大、价钱成本高、更换类型少等缘故，在高i档驱动中，一般都用nmos。
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