炫吉电子科技公司-2090mos公司-宁波2090mos

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。mos管的source和drain是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

做电源设计，2090mos公司，或者做驱动方面的电路，难免要用到mos管。mos管有很多种类，wp2090mos，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。

无论n型或者p型mos管，其工作原理本质是一样的。mos管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。mos管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，mos管的开关速度应该比三极管快。

mos管失效的两个主要原因：

电压失效：即漏源间的bvdss电压超过mos管额定电压，达到一定容量，造成mos管失效。

栅电压故障：栅极遭受异常电压尖峰，造成栅氧层故障。

雪崩破坏到底是什么？简单地说，mos管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与mos管之间叠加而形成的故障模式。简而言之，即mos管漏源极的电压超过了它规定的电压值，并且达到了某一能量---i时所产生的常见故障。

造成栅电压异常高的主要原因有三个：生产、运输和装配过程中的静电；设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振；在高压冲击时，高压通过ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。