




公司成立于2013年7月,---从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售,在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您---适合的芯片方案。
无论是nmos或是pmos,导通后都会有导通电阻,使得电流在电阻上耗费一定的电能,这种耗费叫做导通耗损。这时我们只要挑选导通电阻小的mos管就可以减少导通耗损,如今的小功率mos管导通电阻一般也就几十毫欧的样子,甚至几毫欧的都有。mos在导通和截至的情况下,中低压mos生产厂家,并不是在一瞬间完成的。
mos两边的电压有一个降低的过程,流过的电流则有一个升高的过程,在这段时间内,电压和电流相乘即是mos管的损耗大小。一般开关的损耗要比导通的损耗要大很多,并且要是开关---率越高,损耗就越大。导通瞬间的电压和电流相乘的数值越大,导致其损耗也越大。如果我们能减少开关时间,就能够减少每次导通时的损耗,减少开关的频率,也就能够减少一定时间内开关的频次,从而做到减少开关损耗。
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在电源开关等供电系统设计方案中,方案设计人员会更多关注mos管的多个主要参数,如通断电阻器、较大工作电压、较大电流量。这种要素虽然关键,考虑到不当之处会使电源电路没---常的工作中,但其实这只完成了头一步,mos管自身的寄生参数才算是危害电源电路的重要之处。

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mos管在开关电路里面起到的作用就是控制电路的通断和信号的转换。mos管大致可分为两大类:n沟道和p沟道。
在n沟道mos管电路里,beep引脚是高电平就可以导通使得蜂鸣器响应,低电平则是关闭蜂鸣器。p沟道mos管来控制gps模块电源的通断,gps_pwr引脚是低电平的时候导通,gps模块则正常地供电,高电平时使得gps模块断电。
p沟道mos管在n型硅衬底上p+区有两个:漏极和源极。这两极彼此之间并不通导,当在接地时源极上加有足够的正电压,栅极下面的n型硅表面就会浮现出p型的反型层,变成连接漏极和源极的沟道。改变栅极的电压可以使沟道里的空穴密度发生变化,因此来改变沟道电阻。这种就被称为p沟道增强型场效应晶体管。
nmos的特性,vgs只要大于一定的数值便会导通,适用在源极接地的低端驱动的情况下,前提是栅极的电压达到4v或着10v就行。
pmos的特性,与nmos相反,中低压mos公司,在vgs只要小于一定的数值便会导通,适用于源极接vcc时高i端驱动的情况下。但是,由于替换种类少,导通电阻大,价格贵等原因,尽管pmos可以非常方便地用作在高i端驱动的情况下,所以在高i端驱动中,中低压mos,一般都还是使用nmos。
总的来说,mos管有着---的输入阻抗,在电路---便直接耦合,比较容易制作成为规模大的集成电路 。

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