




---情况有:
1.电路设计的问题,就是让mos管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致mos管---的一个原因。如果n-mos做开关,g级电压要比电源高几v,才能完全导通,p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以u*i也增大,永康中低压mos,损耗就意味着---。这是设计电路的非常忌讳的错误。
2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,mos管上的损耗增大了,wp中低压mos,所以---也加大了。
3.没有做好足够的散热设计,电流太高,mos管标称的电流值,一般需要---的散热才能达到。所以id小于大电流,也可能------,需要足够的辅助散热片。
4.mos管的选型有误,对功率判断有误,mos管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。
公司成立于2013年7月,---从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售,中低压mos价格,在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您---适合的芯片方案。
mos管即可用于放大电流,又可以作为可变电阻,还能用作电子开关,现已广泛应用于电子设备中。而在使用过程中,mos管是通过加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
mos管是电压控制器件,也就是需要使用电压控制g脚来实现对管子电流的控制。市面上常见的是增强型n沟通mos管,厂家可以用一个电压来控制g的电压。
基本方法:用一个控制电压(比较器同相输入端)和一个参考电压(比较器反相输入端),同时进入电压比较器,比较器的输出经过电阻上拉后接g脚,如果控制电压比参考电压高,则控制mos管导通输出电流。

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无论是nmos或是pmos,导通后都会有导通电阻,使得电流在电阻上耗费一定的电能,中低压mos厂家,这种耗费叫做导通耗损。这时我们只要挑选导通电阻小的mos管就可以减少导通耗损,如今的小功率mos管导通电阻一般也就几十毫欧的样子,甚至几毫欧的都有。mos在导通和截至的情况下,并不是在一瞬间完成的。
mos两边的电压有一个降低的过程,流过的电流则有一个升高的过程,在这段时间内,电压和电流相乘即是mos管的损耗大小。一般开关的损耗要比导通的损耗要大很多,并且要是开关---率越高,损耗就越大。导通瞬间的电压和电流相乘的数值越大,导致其损耗也越大。如果我们能减少开关时间,就能够减少每次导通时的损耗,减少开关的频率,也就能够减少一定时间内开关的频次,从而做到减少开关损耗。
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