




电子元器件都有电气参数,在选型时要给电子元器件留出足够的余量,才能---电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和mos管的选型方法。
三极管是一种流控型器件,mos管是压控型器件,两者之间有相似之处,在选择时需要考虑耐压、电流等参数。
1、根据耐压选型
三极管的集电极c与发射极e之间能承受的电压参数为v(br)ceo,工作时ce之间的电压不得超过规定值,否则三极管将永i久损坏。
在使用过程中,mos管的漏极d与源极s之间也存在电压,工作时ds两端的电压不能超过规定值。一般来说,mos管的耐压值远高于三极管。
2、过电流能力
三极管有icm参数,大电流mos厂家,即集电极的过电流能力,mos管的过电流能力以id来表示。当电流工作时,流过三极管/mos管的电流不能超过规定值,否则器件将会被烧坏。
考虑到工作稳定性,大电流mos公司,一般要留出30%-50%,甚至更多的余量。
3、工作温度
商业级芯片:一般范围在0到+70℃;
工业级芯片:一般范围在-40到+85℃;
军i工级芯片:一般范围在-55℃到+150℃;
在进行mos管选型时,要根据产品的使用场合选择合适的芯片。
4、根据开关频率选择
三极管和mos管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中,必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。
5、其他选型条件
例如,mos管的导通电阻ron参数、mos管的vth开启电压等。

公司成立于2013年7月,---从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售,大电流mos,在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您---适合的芯片方案。
mos 管本身有着诸多优势,但同时mos管具备较敏感的短时过载能力,---是在高频率的运用场景,因此在运用功率 mos 管务必为其制定有效的保护电路来提升器件的稳定性。
下边是mos无效的六大缘故:
1:山崩无效(工作电压无效),也就是人们常说的漏源间的bvdss工作电压超出mosfet的额定电流,而且超出做到了一定的功能进而导致mosfet无效。
2:soa无效(电流量无效),既超过mosfet安全工作区造成无效,分成id超过器件规格型号无效及其id过大,耗损过高器件长期热累积而导致的无效。
3:体二极管无效:在桥式、llc等有效到体二极管开展续流的网络拓扑结构中,因为体二极管遭到影响而导致的无效。
4:串联谐振无效:在串联应用的环节中,大电流mos生产厂家,栅极及电源电路寄生参数导致波动造成的无效。
5:静电感应无效:在冬秋时节,因为身体及机器设备静电感应而导致的器件无效。
6:栅极工作电压无效:因为栅极遭到出现异常工作电压顶i峰,而导致栅极栅氧层无效。

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