中低压mos公司-宁海中低压mos-苏州炫吉电子

---情况有：

1.电路设计的问题，就是让mos管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致mos管---的一个原因。如果n-mos做开关，g级电压要比电源高几v，才能完全导通，p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以u*i也增大，损耗就意味着---。这是设计电路的非常忌讳的错误。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，宁海中低压mos，导致频率提高，mos管上的损耗增大了，所以---也加大了。

3.没有做好足够的散热设计，电流太高，wp中低压mos，mos管标称的电流值，一般需要---的散热才能达到。所以id小于大电流，中低压mos公司，也可能------，需要足够的辅助散热片。

4.mos管的选型有误，对功率判断有误，mos管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。g：gate 栅极；s：source 源极；d：drain 漏极。mos管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为pmos管（p沟道型）和nmos（n沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。