




一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。g:gate 栅极;s:source 源极;d:drain 漏极。mos管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为pmos管(p沟道型)和nmos(n沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
---情况有:
1.电路设计的问题,就是让mos管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致mos管---的一个原因。如果n-mos做开关,g级电压要比电源高几v,mos生产厂家,才能完全导通,p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以u*i也增大,损耗就意味着---。这是设计电路的非常忌讳的错误。
2.频率太高,主要是有时过分追求体积,慈溪mos,导致频率提高,mos管上的损耗增大了,所以---也加大了。
3.没有做好足够的散热设计,电流太高,mos管标称的电流值,一般需要---的散热才能达到。所以id小于大电流,也可能------,mos公司,需要足够的辅助散热片。
4.mos管的选型有误,对功率判断有误,mos管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。
公司成立于2013年7月,mos厂家,---从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售,在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您---适合的芯片方案。
mos管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗---,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。且场效应管---的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。
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