一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。g：gate 栅极；s：source 源极；d：drain 漏极。mos管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为pmos管（p沟道型）和nmos（n沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。

公司成立于2013年7月，---从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您---适合的芯片方案。

mos管，是在集成电路里的带有绝缘性的场效应管。mos 管作为半导体领域基础的器件之一，不管是在板级电路的应用上，还是ic的设计里，都十分广泛。mos管的drain和source是可以相互调换过来的的，都是在p型backgate里形成的一个n型区。在普遍的情况下，这两个区都是相同的，就算这两段相互调换过来也是不会去影响到器件的性能。所以这器件被认为是对称的。

 跟双旋光性晶体三极管对比，一般觉得使mos管导通不用电流量，只需要gs电压高过一定的值就可以了。做到这一点比较容易，我们主要是需要一定的速率。

     对于mos管的结构来说，我们可以发现在gs、gd里会有一些寄生电容，而mos管的驱动，实际上就是对电容充电和放电。对于电容的充电我们只需要一个电流就够了，由于电容在充电的瞬间相当于可以把电容当做是短路，这个时候的瞬间电流会比一般情况下数值要高一些。因此我们再挑选或者是设计mos管驱动电路方案的时候，首先要先留意可提供的瞬间短路电流大小。

    伴随着科技的不断发展，电子设备的设计---务必持续追随智能科技的脚步，为商品选择更为合适的电子元器件，才能使商品更合乎时期要求。在其中mos管是电子器件生产制造的基本上元器件，因而想要挑选合适的mos管就更要掌握它的特点和各种指标数据。

      在mos管的型号选择方法中，从结构形式（n型或是p型）、工作电压、电源开关性能、封装要素及其知i---，应对不一样的产品运用，要求也跟着不一样，下面我们会实际讲解下mos管的封装方式。